力旺電子推出16nm精簡型FinFET製程OTP矽IP

2016-03-21
作者 Press Release

力旺電子宣佈,其OTP NeoFuse技術成功於16FF+進階版之16奈米精簡型FinFET(16nm FinFET Compact,16FFC)製程完成驗證。該公司於16FFC成功佈建之NeoFuse技術,將能協助客戶快速使產品由16FF+技術轉進至進階的16FFC製程平台。

力旺電子宣佈,其OTP NeoFuse技術成功於16FF+進階版之16奈米精簡型FinFET(16nm FinFET Compact,16FFC)製程完成驗證。該公司於16FFC成功佈建之NeoFuse技術,將能協助客戶快速使產品由16FF+技術轉進至進階的16FFC製程平台。

力旺電子NeoFuse技術擁有優異的元件架構及超低電壓操作記憶體元件的特性,在製程演進時,能快速地於新製程完成產品驗證與佈局。隨著16奈米製程由16FF+進階至16FFC製程平台,力旺電子NeoFuse矽智財規格同步進化,在提供客戶更佳的技術規格的同時,亦協助客戶得以靈活地於新製程平台進行產品規劃。

16FFC製程平台是為可兼顧最佳效能與功耗表現之先進製程平台,特別適合強調省電與成本效益的穿戴式裝置與物聯網之應用。16FFC製程平台將於2016進入試產階段,力旺電子領先業界在16FFC製程平台開發之NeoFuse矽智財預期將獲消費性電子、行動裝置應用客戶廣泛採用,以強化產品效能與成本競爭力。

力旺電子NeoFuse技術已於16FFC平台完成功能驗證,並將於今年第三季完成可靠性驗證,可提供客戶相當於16FF+製程平台上之技術規格。隨著16奈米製程快速演進,力旺亦將與合作夥伴緊密合作,攜手開發最新製程平台之矽智財,以提供給客戶在16奈米製程上,最多元完整的解決方案。

活動簡介
未來寬能隙半導體元件會在哪些應用成為主流?元件供應商又會開發出哪些新的應用寬能隙元件的電路架構,以協助電力系統開發商進一步簡化設計複雜度、提升系統整體效率?TechTaipei「寬能隙元件市場與技術發展研討會」將邀請寬能隙半導體的關鍵供應商一一為與會者解惑。
贊助廠商
訂閱EETT電子報