Fairchild下一代PowerTrench MOSFET提升效能

2016-03-29
作者 Susan Hong

Fairchild在2016年APEC展覽會上推出最新一代100V N通道功率MOSFET產品系列的旗艦型元件——FDMS86181 100V保護閘極。FDMS86181是Fairchild首款新一代PowerTrench MOSFET元件,可為電源供應器、馬達驅動以及其他需要100V MOSFET的應用顯著提高效率、降低其電壓振鈴並減少電磁干擾(EMI)。

Fairchild在2016年APEC展覽會上推出最新一代100V N通道功率MOSFET產品系列的旗艦型元件——FDMS86181 100V保護閘極。FDMS86181是Fairchild首款新一代PowerTrench MOSFET元件,可為電源供應器、馬達驅動以及其他需要100V MOSFET的應用顯著提高效率、降低其電壓振鈴並減少電磁干擾(EMI)。

Fairchild最新一代PowerTrench元件將繼續該公司在MOSFET技術開發的前列,並且能夠滿足客戶最嚴苛的系統電源需求。

新一代FDMS86181的主要優勢在於其將Rdson減少了40%以減少傳導損失,將閘極電荷降至最低而減少開關損失。FDMS86181極低的Qrr幾乎消除了振鈴導致的電壓過衝,從而能夠減少或去掉產品設計中的緩衝電路,並降低電磁干擾(EMI)。FDMS86181這一獨特優勢允許設計者同時減小產品尺寸和降低物料(BOM)成本。

活動簡介
未來寬能隙半導體元件會在哪些應用成為主流?元件供應商又會開發出哪些新的應用寬能隙元件的電路架構,以協助電力系統開發商進一步簡化設計複雜度、提升系統整體效率?TechTaipei「寬能隙元件市場與技術發展研討會」將邀請寬能隙半導體的關鍵供應商一一為與會者解惑。
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