NTP8G202N和NTP8G206N兩款元件的導通電阻分別為290mΩ和150mΩ，閘極電荷均為6.2nC，輸出電容分別為36pF和56pF，反向恢復電荷分別為0.029μC和0.054μC，採用優化的TO-220封裝，易於根據客戶現有的製板能力而整合。

基於同一導通電阻等級，第一代600 V矽基GaN(GaN-on-Si)元件已比高壓矽MOSFET提供優質4倍以上的閘極電荷、更好的輸出電荷、差不多的輸出電容和優質20倍以上的反向恢復電荷，並將有待繼續改進，未來GaN的優勢會越來越明顯。

Cascode相當於由GaN HEMT和低壓MOSFET組成：GaN HEMT可承受高電壓，過電壓能力達到750V，並提供低導通電阻，而低壓MOSFET提供低閘極驅動和低反向恢復。HEMT是高電子遷移率電晶體的英文縮寫，通過二維電子氣在橫向傳導電流下進行傳導。

這種600V GaN Cascode的優勢包括：
‧具有卓越的自體二極體特性：串接建立在低壓矽技術上，且反向恢復特別低；
‧容易驅動：設計人員可使用像普通MOSFET一樣的傳統閘極驅動器，採用電壓驅動，且驅動由低壓矽MOSFET的閾值電壓和閘極電荷決定；
‧高可靠性：通過長期應用級測試，且符合JEDEC行業標準(通過標準為：0個擊穿、最終的漏電流低於規格門限、導通電阻低於規格門限)。

在許多現有電路拓墣中，Cascode GaN比Si提供更高能效。如圖2所示，在連續導電模式(CCM)升壓PFC拓墣中，在200KHz和120Vac輸入的條件下，Cascode GaN較超結合Si(SJ Si)提升近1%的效率，隨著頻率的升高，GaN的優勢更為明顯。採用GaN還使得圖騰柱(Totem Pole)電路成為可能，較傳統CCM升壓PFC提供更高能效。

活動簡介

未來寬能隙半導體元件會在哪些應用成為主流？元件供應商又會開發出哪些新的應用寬能隙元件的電路架構，以協助電力系統開發商進一步簡化設計複雜度、提升系統整體效率？TechTaipei「寬能隙元件市場與技術發展研討會」將邀請寬能隙半導體的關鍵供應商一一為與會者解惑。

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