1200V IGBT採用超場截止溝槽技術
2016-05-18
作者
ON Semiconductor
安森美半導體推出新系列絕緣閘雙極型電晶體(IGBT)，採用專有的超場截止溝槽技術。
安森美半導體(ON Semiconductor)推出新系列絕緣閘雙極型電晶體(IGBT)，採用專有的超場截止溝槽技術。NGTB40N120FL3WG、NGTB25N120FL3WG和NGTB40N120L3WG的設計旨在提升工作性能水平，以符合現代開關應用的嚴格要求。
這些1,200伏特(V)元件能實現先進的總開關損耗(Ets)特點；性能表現的顯著提升，部份歸功於極寬的高度觸發場截止層及最佳化的共同封裝二極體。
NGTB40N120FL3WG的Ets為2.7毫焦耳(mJ)，而NGTB25N120FL3WG的Ets為1.7mJ。兩款元件在各自額定電流下的VCEsat均為1.7V。NGTB40N120L3WG經最佳化提供低導通損耗，額定電流下的VCEsat為1.55V，Ets為3 mJ。
新的超場截止產品與一個具有軟關斷特性的快速恢復二極體共同封裝在一起，並仍提供最小的反向恢復損耗。NGTB25N120FL3WG和NGTB40N120FL3WG非常適用於不斷電系統(UPS)和太陽能逆變器，而NGTB40N120L3WG主要針對馬達驅動應用。
活動簡介
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