市場研究機構TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange表示，中國的紫光集團預計於武漢成立名為「長江存儲科技」的公司，未來將納入武漢新芯旗下，統籌所有記憶體發展項目，目前整體規劃朝向NAND Flash產業發展。

DRAMeXchange研究協理楊文得表示，紫光集團與武漢新芯聯手，使中國記憶體產業發展進入新章，可望為後續中國佈建自主性記憶體產業帶來進展。中國業者近一年來藉布局記憶體產業所展現的規劃力、執行力與彈性均不容小覷，未來一舉一動都將牽動全球記憶體產業格局。預估2011~2016年NAND Flash位元需求量的年複合成長率高達47%，在固態硬碟(SSD)需求高度成長的帶動下，NAND Flash未來10年可望皆維持高度成長態勢，因而紫光集團與武漢新芯目前的發展將著力於NAND Flash產業。

楊文得指出，武漢新芯原為NOR Flash大廠，在生產經驗、廠房與產能建置等基礎建設有所擅長，而紫光集團則在資金募集及策略併購等均有過人之處，透過兩強攜手整合資源，能使中國記憶體產業投資的整體資源配置更加集中，並在整合上產生更多綜效，對內得以於未來中國記憶體產業的發展中瞄準較佳的地位，對外則能提升產業上談判的籌碼，有助於中國建立產業自主性，後續發展值得關注。

現階段武漢新芯在NAND Flash的布局領先其他中國記憶體業者，其與飛索半導體(Spansion)合作開發的3D-NAND Flash技術正持續往32層堆疊的初期量產目標邁進，今年3月也在中國「大基金」的支持下興建新3D-NAND Flash廠，預計2018上半年實現量產目標。

至於其他NAND Flash業者，三星(Samsung)除西安廠的投資外，韓國平澤廠區也規劃新的3D-NAND Flash產能。東芝(Toshiba)與威騰(WD)公司旗下晟碟(SanDisk)在日本Fab2廠的產能持續增加，新廠也可望自2018下半年投產最新製程的3D-NAND。SK海力士(Hynix)則除現階段M11與M12廠外，M14廠第二階段3D-NAND的生產也將從明年第一季開始進行。美光(Micron)現除了新加坡Fab10X的擴建外，並未有新廠規劃。

楊文得進一步表示，由於3D-NAND Flash的廠房新建等投資遠高於2D-NAND Flash的數倍，因此美光集團若能與紫光集團/武漢新芯比照華亞科模式合作(即美光提供生產技術，合作方提供資金與生產產能)，則能以較低的財務負擔來獲取長期新產能的布建，更有機會在市佔率拉近與三星和東芝/威騰陣營的距離。因此紫光集團與武漢新芯的聯手格外引人矚目。

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