快閃記憶體產業的指標性展會──2016年全球快閃記憶體高峰會(2016 Flash Memory Summit)甫落幕，TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange研究協理楊文得表示，大會連續兩年設置中國專場，並由華瀾微電子總裁駱建軍博士擔任論壇主持人，顯示出中國市場已成國際關注焦點，中國快閃記憶體廠商的話語權與能見度正快速攀升。

由於行動裝置需求的快速增長及伺服器、資料中心的大量建置，中國市場NAND Flash消耗量呈爆發式成長。DRAMeXchange預估2017年中國市場所消耗的NAND Flash量將占全球30%以上，2020年將占全球逾40%，成為中國大力進軍NAND Flash產業，積極建立上中下游完整供應鏈的主要原因。

楊文得分析，3D NAND Flash最晚將於2018年超越整體NAND Flash市場的一半，進一步推升固態硬碟存儲應用的容量與市場規模，至2020年整體NAND Flash需求將維持每年40%的高成長率，中國巨大的市場發展潛力勢必帶動眾多NAND Flash廠商投入，未來中國廠商的布局更加火熱。

本屆快閃高峰會中國廠商的動態可從記憶體製造、主控晶片與應用市場兩大面向看出其強大的發展企圖：

記憶體製造端：武漢新芯為目前中國NAND Flash製造端廠商中最具規模者，與國際大廠飛索半導體(Spansion)合作發展3D-NAND Flash，預計2018上半年量產第一世代的3D NAND產品。今年7月武漢新芯正式與紫光集團成立長江存儲科技，將有效整合中國在NAND Flash製造端發展能量。楊文得表示，為拉近與國際記憶體大廠的距離，中國產學界代表也聯合展示快閃記憶體FTL技術及復旦大學的RRAM商業化嘗試，可見中國在快閃記憶體佈局有長遠規劃。

主控晶片與應用市場：中國主控晶片廠如華瀾微、憶恆創源與華為等一線大廠皆參與盛會，看準固態硬碟未來5年快速成長的商機，各廠正強化在固態硬碟整體存儲設備及PCIe高速接口的研發能量。此外，為實現建立自主產業鏈的目標，華瀾微與華為等廠商也展示自主開發的IP與基礎性結構研究。楊文得進一步表示，近年來中國主控晶片業者以自主開發或併購等方式獲取關鍵IP技術的進展速度加快，預期兩年內將有更多NAND Flash主控晶片廠跨國合作與併購。

活動簡介

未來寬能隙半導體元件會在哪些應用成為主流？元件供應商又會開發出哪些新的應用寬能隙元件的電路架構，以協助電力系統開發商進一步簡化設計複雜度、提升系統整體效率？TechTaipei「寬能隙元件市場與技術發展研討會」將邀請寬能隙半導體的關鍵供應商一一為與會者解惑。

贊助廠商

立即報名