SuperFET III MOSFET系列兼具同類最佳的可靠性、低EMI、出色的效率以及卓越的熱效能，使其成為高效能應用的理想選擇。除了出色的效能特性，其廣泛的封裝選擇更是錦上添花，賦予產品設計者更大的靈活性，對於尺寸受限的設計尤其如此。

在任何驅動簡易的超接面MOSFET中，SuperFET III技術均可實現最低Rdson，同時提供同類最佳效率。該產品能夠實現這一優勢是因為它採用了先進的電荷平衡技術，相較其SuperFET II前代產品，在封裝尺寸相同的情況下，Rdson可降低44%。

SuperFET III系列具有卓越的耐用性及可靠性，其中的關鍵因素在於其同類最佳的體二極體以及優於其最相近競爭產品三倍的單脈衝崩潰能量(EAS)效能。

650V SuperFET III系列在關斷期間具有較低的峰值汲源極電壓，在低溫運行時可增強系統可靠性，因為相較於室溫，在接面溫度為-25℃的條件下，崩潰電壓自然而然地降低5%，且峰值汲源極電壓在低溫下會增加。

這些可靠性優勢對於諸如光伏逆變器、不間斷電源(UPS)及EV充電器等應用尤其重要，此類應用必須能夠耐受更高或更低地外部環境溫度。SuperFET III MOSFET系列今日上市，提供多種封裝及參數選擇。

活動簡介

未來寬能隙半導體元件會在哪些應用成為主流？元件供應商又會開發出哪些新的應用寬能隙元件的電路架構，以協助電力系統開發商進一步簡化設計複雜度、提升系統整體效率？TechTaipei「寬能隙元件市場與技術發展研討會」將邀請寬能隙半導體的關鍵供應商一一為與會者解惑。

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