一旦啟動，該元件的2.5V至18V輸入電壓範圍可擴展至低如250mV。輸出電壓在輸入高於、低於或等於輸出時可穩定，並可設定在0.8V至18V範圍。用戶可選的Burst Mode模式運作可將靜態電流降至僅35μA，而能提高輕負載率，同時延長電池運作時間。

LTC3119採用專利的4-switch PWM升降壓拓撲，在所有操作模式下可提供低雜訊和無抖動切換，因此非常適合對電源雜訊敏感的RF和高精準類比應用。該元件還包括可編程最大功率點控制(MPPC)功能，從而在使用具高輸出阻抗或光伏電池時，可確保從電源提供最大功率。

LTC3119包含4個內部低RDSON N通道MOSFET，以提供高達95%的效率。透過停用Burst Mode運作可提供低雜訊連續切換。外部頻率編程或使用內部PLL同步允許該元件能操作於寬廣的400kHz至2MHz開關頻率範圍，因此可在效率和解決方案尺寸之間做出權衡。其他特點包括短路保護、熱超載保護、低於3μA的關機電流、以及電源良好指示器。該元件兼具纖巧的外部元件、寬廣工作電壓範圍、精小封裝、以及低靜態電流等特點，非常適合 RF 電源、大電流脈衝負載應用、系統備份電源、以及鉛酸電池至12V轉換系統。

LTC3119採用散熱加強型28接腳4mm x 5mm QFN和28接腳TSSOP封裝。E級和I級版本元件特適操作於–40°C至125°C工作溫度範圍、H級版本元件則可操作於–40°C至150°C、MP級版本元件為–55°C至150°C。

活動簡介

未來寬能隙半導體元件會在哪些應用成為主流？元件供應商又會開發出哪些新的應用寬能隙元件的電路架構，以協助電力系統開發商進一步簡化設計複雜度、提升系統整體效率？TechTaipei「寬能隙元件市場與技術發展研討會」將邀請寬能隙半導體的關鍵供應商一一為與會者解惑。

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