安森美半導體(ON Semiconductor)宣佈與Hexius半導體合作，在ONC18 0.18μm CMOS製程中使用Hexius半導體的類比智慧財產權(IP)。這使安森美半導體能為客戶提供更好的服務，提供驗證過的類比IP，可最終減少設計週期和產品面市時間。

由該合作產生的八個初始設計包括各種不同的類比-數位轉換器、數位-類比轉換器、參考電壓和參考電流。視乎需要，這些設計可按規定訂製，以滿足特定的應用需求。進一步的資料轉換器和鎖相迴路(PLL)設計目前正在開發中，將於今年稍晚推出。

安森美半導體的ONC18製程奠基於一個0.18微米(μm)的CMOS結構，由於其高電壓能力，特別適用於汽車、工業、軍事和醫療等應用。客戶獲得權限使用支援該工藝的寬廣陣容的合格IP，將受益於已為其特定要求而高度優化的特殊應用積體電路(ASIC)實施，且不需分配過多本身的工程資源在設計項目上。因此，可實現更快的設計週期、降低重新設計的風險和減少相關成本。

活動簡介

未來寬能隙半導體元件會在哪些應用成為主流？元件供應商又會開發出哪些新的應用寬能隙元件的電路架構，以協助電力系統開發商進一步簡化設計複雜度、提升系統整體效率？TechTaipei「寬能隙元件市場與技術發展研討會」將邀請寬能隙半導體的關鍵供應商一一為與會者解惑。

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