奠基4G的基礎，以及新興應用對於行動網路低延遲、高傳輸速率的需求，5G行動通訊技術在全球業者的期待之下，加速發展中。隨著2018年標準底定時間越來越接近，相關半導體廠商、網通設備商，以及其他相關業者，對5G技術架構的了解有越來清晰的輪廓。

5G行動技術的發展也為半導體產業帶來新的發展前景與技術挑戰。其中，由於5G行動通訊技術有部份將採用較高頻段以實現高速傳輸，以及超低延遲能力，同時，卻不能因5G使用超高頻段而使得基地台或行動裝置的功耗飆高，也因此，高效能功率與化合物半導體元件——氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)、砷化鎵(GaAs)—在5G技術相關終端產品發展歷程中，不僅將扮演重要角色，其市場發展也可因受惠5G市場而有巨大的成長契機。

舉例來說，行動裝置與基地台不可或缺的射頻(RF)與電源功率元件，為了滿足省電、小尺寸及更高效能的需求，自4G技術開始發展時，砷化鎵、氮化鎵、碳化矽等RF功率放大器(Power Amplifier，PA)即已開始嶄露頭角，而隨著5G的技術不斷發展，未來功率表現更佳的氮化鎵將可望成為市場主流。

眾所周知，氮化鎵及砷化鎵功率半導體相較於傳統的矽(Si)功率半導體具備諸多優勢，如開關速度快、電流損耗低、功率密度更高…等，還有諸多特性是矽功率半導體難以望其項背，唯獨成本仍落後矽功率半導體較多距離。但在相關材料、製程設備與技術相關業者共同努力下，相信未來氮化鎵、砷化鎵功率半導體能夠在製程技術上有新進展。

不僅如此，在5G應用之外，包括太陽能逆變器、電動車…等，氮化鎵及碳化矽功率元件也已成為相關廠商注目的焦點。根據Yole Développement針對碳化矽功率元件所做的預測，至2022年，在新興應用驅動下，碳化矽元件整體市場規模將成長至10億美元以上，2020~2022年間的年複合成長率(CAGR)可達40%。另一方面，日本富士經濟(Fuji Keizai)的調查亦顯示，到2020年全球功率半導體的市場規模33,009億日圓，其中，氮化鎵、碳化矽等新一代功率半導體增長率較其他功率半導體高，銷售額可望達到1,665億日圓。

如此龐大且前景可期的誘人商機，能錯過嗎？為了讓「SEMICON Taiwan 2017國際半導體展」與會者更深入了解新一代功率元件的最新技術發展，以及其在5G或其他應用領域的發展機會，2017年特別規劃「功率暨化合物半導體論壇」(Power & Compound Semiconductor Forum)，邀集台達電、Fraunhofer IISB、Wolfspeed、imec、KLA-Tencor、華為、穩懋、絡達科技、Veeco、Yole Developpement等功率半導體及5G產業關鍵廠商與研究單位分析最新氮化鎵、碳化矽與砷化鎵功率元件製程技術的進展，以及5G和其他應用中，這些新興功率元件的技術發展關鍵與契機，內容精彩可期，不容錯過！

「功率暨化合物半導體論壇」相關訊息：

• 時間：2017年9月14日(星期四)，上午8:30至下午5:05
• 地點：南港展覽館4樓401會議室
• 論壇內容及報名網址：
  http://www.semicontaiwan.org/zh/node/5226

活動簡介

未來寬能隙半導體元件會在哪些應用成為主流？元件供應商又會開發出哪些新的應用寬能隙元件的電路架構，以協助電力系統開發商進一步簡化設計複雜度、提升系統整體效率？TechTaipei「寬能隙元件市場與技術發展研討會」將邀請寬能隙半導體的關鍵供應商一一為與會者解惑。

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