宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出高效、靈活及採用氮化鎵(GaN)電晶體的差分模式開發板(EPC9083)，可以在高達15MHz頻率工作，包括無線充電應用普遍使用的6.78MHz頻率。推出該新開發板的目的在於協助功率系統設計師以簡易方法對氮化鎵電晶體的優越性能進行評估，使得他們的產品可以快速量產。

這些開發板專為採用E類放大器拓撲的應用而設計，例如無線充電應用，而且也可以支援採用低側開關的其他應用，例如但不限於推挽式轉換器、電流模式D類放大器、共源雙向開關及諸如光達(LiDAR)等各種高壓短脈寬應用。

EPC9083開發板內含200V、25mΩ eGaN FET(EPC2046)，它比前代的增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體(FET)具備更低的開關損耗、更小型化而同時具有相同的汲極-源極阻抗。這些放大器被預設為工作在差分模式，也可以再配置為工作在單端模式，並包含閘極驅動器及邏輯電源穩壓器。

隨開發板一起提供的還有一份供用戶參考和易於使用的速查指南，內載有詳細資料包括設置步驟、電路圖框及材料清單，詳情請瀏覽 http://epc-co.com/epc/Products/DemoBoards.aspx 。

宜普電源轉換公司簡介

宜普電源轉換公司是基於增強型氮化鎵的功率管理元件領先供應商，為首家公司推出替代功率MOSFET元件的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體，其目標應用包括直流-直流轉換器、無線電源傳送、波峰追蹤、射頻傳送、功率逆變器、三維成像及光達(LiDAR)與D類音頻放大器等應用，元件性能比最好的矽功率MOSFET元件高出很多倍。

此外，宜普公司正在擴大基於eGaN IC的產品系列，為客戶提供進一步節省佔板面積、節能及節省成本的解決方案。詳情請瀏覽官方網站，網址為：http://www.epc-co.com.tw 。

活動簡介

未來寬能隙半導體元件會在哪些應用成為主流？元件供應商又會開發出哪些新的應用寬能隙元件的電路架構，以協助電力系統開發商進一步簡化設計複雜度、提升系統整體效率？TechTaipei「寬能隙元件市場與技術發展研討會」將邀請寬能隙半導體的關鍵供應商一一為與會者解惑。

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