隨著半導體製程節點越來越先進，如剛推出的新一代iPhone處理器採用10奈米(nm)製程的同時，台積電(TSMC)、三星(Samsung)…等已著手布局7奈米製程。半導體邁入新製程對於超薄晶圓需求高漲，但超薄晶片也帶來製造過程的大挑戰，不過，半導體材料供應商，已開始針對這些挑戰，提出解決之道。

Brewer Science半導體製造副技術長James E. Lamb表示，半導體朝先進製程邁進的目的不外乎是體積變小、功耗降低、效能提高及產熱更少…等，但要實現這些目標需要採用可達到異質整合的先進3D堆疊封裝技術。這時候晶圓的厚度就得越來越薄，才能在多層堆疊時，不會使晶片總體厚度無限上綱，影響到IC總體厚度，也因此，超薄晶圓元時代已經來臨。

不過，超薄晶圓也為後段製程帶來挑戰。Lamb指出，其實，無論是晶圓或是面板級的扇出型封裝(FO)架構，都著重在3D系統級封裝和異質整合，而兩者都需要在相同的封裝中容納更多的晶粒，這將使得超薄晶圓易於彎曲，勢必得在底部加上基板支撐，才能讓超薄晶圓安然「撐過」所有的製程階段。也因此，半導體組裝及測試(OSTA)公司開始對雷射分離剝離法產生興趣，看準此趨勢，Brewer Science推出新一代專為雷射分離設計的剝離材料。

Brewer Science最新的剝離材料只需要在室溫即可黏合晶圓與基板，也可以在室溫下剝離。Lamb進一步說明，新材料為High-T熱塑性和可固化材料，具備可耐350度高溫、黏著性佳，以及易於剝離等特性，可以協助業者在面對超薄晶圓時，可以減少因製程過程時或是剝離晶圓與基板時，而造成的晶圓破損。

另一方面，先進製程除了對超薄晶圓的需求看漲外，極紫外線(EUV)微影與定向自組裝(DSA) 製程技術也開始受到重視。Lamb強調，雖然EUV現在成本仍高，正在發展初期，但該技術對於半導體製程的貢獻不僅只在縮小IC尺寸，而是在設計與佈局的第一步有很大的作用。

DSA則是輔助EUV微影模式的轉變，其最大的特色是無需額外光照即可達到30奈米特徵尺寸，此技術雖然也還在發展階段，不過，整合元件製造(IDM)與代工業者的目標是在2年內準備好進行生產。

Lamb強調，結合EUV與DSA相輔相成的優勢，將可提升IDM與代工業者的製造能力，而Brewer Science也針對這兩個製程技術推出相應的暫時性貼合/剝離材料，以幫助業者能夠順利用先進製程技術生產IC，並達成符合預期的結果。

活動簡介

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