ANSYS宣佈其ANSYS RedHawk和ANSYSR Totem獲聯華電子(UMC)的先進14奈米FinFET製程技術認證。ANSYS和聯電透過認證和完整套裝半導體設計解決方案，支援共同客戶滿足下一代行動和高效能運算(HPC)應用不斷成長的需求。

此次ANSYS取得聯電的認證包括萃取、電源完整性和可靠度、訊號電子遷移(signal EM)以及自發熱(self-heat)分析。聯電的14奈米FinFET技術與 28奈米技術相較快55%，耗電減少50%，適合需要更多功能、超高效能與超低功耗的應用。

聯電智慧財產開發與設計支援部門總監T.H. Lin表示：「聯電不斷改進設計以支援產品，幫助客戶縮短設計時間並加速產品上市時程。我們與ANSYS合作無間，雙方共同客戶能夠運用ANSYS的多物理場模擬，將設計最佳化，改善效能並減少過度設計(overdesign)。」

ANSYS總經理John Lee表示：「深次微16奈米以下的多層次實體效應的相互依存性持續增加，如電源、可靠度和發熱議題，對設計收斂帶來重大挑戰。ANSYS的半導體解決方案架構針對多層次實體最佳化設計，而聯電認證ANSYS解決方案經過嚴格測試和準確規範的確認，有助於雙方共同客戶加速設計收斂。」

活動簡介

未來寬能隙半導體元件會在哪些應用成為主流？元件供應商又會開發出哪些新的應用寬能隙元件的電路架構，以協助電力系統開發商進一步簡化設計複雜度、提升系統整體效率？TechTaipei「寬能隙元件市場與技術發展研討會」將邀請寬能隙半導體的關鍵供應商一一為與會者解惑。

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