透過創新與製造實現最高品質標準及領先業界的半導體元件：英飛凌科技(Infinfon)於2008年開始量產第一個Bulk-CMOS射頻(RF)開關。接著在5G時代的曙光中，英飛凌精良的產品組合與產品獲得全球無線市場創新業者前所未有的歡迎。如今，英飛凌射頻Bulk-CMOS開關的年產量遠超過10億，累積對客戶的出貨量已逾50億組。

Bulk-CMOS提供多項產品整合優勢。自1960年代「固態」面市以來，射頻開關的設計技術走向兩大類：微機電系統(MEMS)開關和固態開關。MEMS的低切換速度、薄弱的重複性及可靠性，使其無法成為5G應用的理想選擇。

同時，科學上的努力讓固態的發展有了多種技術選擇。相較於砷化鎵與氮化鎵，以Bulk-CMOS為基礎的電晶體-電晶體邏輯展現出最佳的整合能力，最終使空間受限的設計得以在印刷電路板上實現。不同於其他替代方案，Bulk-CMOS不需要額外的氧化層，也無需在晶圓處理中使用不同的材料，這意味著直接的經濟效益。

整體產業的步伐不斷加快，5G電信的出現也為OEM與ODM業者手中一系列的技術參數帶來令人雄心勃勃的挑戰。英飛凌也將開發更多能支持射頻工作者抱負的產品。

活動簡介

未來寬能隙半導體元件會在哪些應用成為主流？元件供應商又會開發出哪些新的應用寬能隙元件的電路架構，以協助電力系統開發商進一步簡化設計複雜度、提升系統整體效率？TechTaipei「寬能隙元件市場與技術發展研討會」將邀請寬能隙半導體的關鍵供應商一一為與會者解惑。

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