適用最高7.5kW馬達驅動MOSFET評估板問世

2019-11-21
作者 Infineon

英飛凌的EVAL-M5-E1B1245N-SiC評估板將有助於SiC在馬達驅動的應用中奠定基礎,並強化該公司在工業SiC市場的領先地位。

碳化矽(SiC)正逐漸成為太陽能光電和不斷電系統等應用的主流。英飛凌科技(Infineon)正將這項寬能隙技術鎖定另一組目標應用:EVAL-M5-E1B1245N-SiC評估板將有助於SiC在馬達驅動的應用中奠定基礎,並強化英飛凌在工業SiC市場的領先地位。該評估版的開發目的是在客戶以最大7.5kW馬達輸出進行工業馬達應用設計的最初階段提供協助。

此評估板包含EasyPACK 1B-CoolSiC MOSFET(FS45MR12W1M1_B11)、三相AC連接器、EMI濾波器、整流器及用於連接馬達的三相輸出。此款評估板以模組化應用設計套件(MADK)為基礎,配備英飛凌標準M5 32腳位介面,可連接控制單元如XMC DriveCard 4400或1300。其輸入電壓涵蓋340~480VAC的範圍。

這款MADK系列新成員已針對通用型馬達及伺服馬達進行最佳化,並具有非常高的頻率。它具備六單元(Sixpack)組態1,200V CoolSiC MOSFET的EasyPACK 1B,以及45mΩ的一般導通電阻。功率級包含電流與電壓的感測電路,配備無感測器磁場導向控制(FOC)的所有組合元件。EVAL-M5-E1B1245N-SiC具有低電感設計、整合NTC溫度感測器及無鉛端子鍍層,符合RoHS規範。

活動簡介
未來寬能隙半導體元件會在哪些應用成為主流?元件供應商又會開發出哪些新的應用寬能隙元件的電路架構,以協助電力系統開發商進一步簡化設計複雜度、提升系統整體效率?TechTaipei「寬能隙元件市場與技術發展研討會」將邀請寬能隙半導體的關鍵供應商一一為與會者解惑。
贊助廠商
訂閱EETT電子報