不久前，ReRAM新創公司Weebit Nano還在積極地打造該公司的嵌入式業務，但該公司現在似乎正改弦易轍？該公司執行長Coby Hanoch表示， 為了因應客戶的需求，該公司將致力於滿足市場對於基於其ReRAM技術的離散式記憶體元件需求。

他在最近接受《EE Times》的採訪中表示：「我們原本計劃先在嵌入式市場打響公司的名號、獲得營收，然後再著手開發離散式ReRAM。」然而，該公司在與越來越多的潛在客戶交流後發現，在離散式元件領域明顯存在迫切需求。Hanoch表示，對於離散式ReRAM來說，最迫切的需求和實際的機會就是作為NOR快閃記憶體(Flash)的替代方案；NOR Flash如今正面臨著微縮的挑戰。

中國芯天下技術公司(XTX Technology)就是這一類型的客戶。XTX Technology在2019年底宣佈成功複製了法國研究機構Leti以前在Weebit Nano非揮發性記憶體晶片上的測量結果。這項驗證被視為是證實基於氧化矽的ReRAM可製造性之重要步驟。

Weebit的ReRAM記憶體單元由2個金屬層和1個氧化矽(SiOx)層組成，在其分層間則由可用於現有產線的材料組成。
（來源：Weebit）

但是，離散式ReRAM本身也面臨著技術挑戰，而這正是Weebit Nano計劃關注之處。Hanoch說：「這需要有一款比電晶體更好的選擇器。在嵌入式市場，電晶體已經夠好了，或許尺寸較大些，但人們並不太在乎記憶體陣列的大小。」然而，如果離散式ReRAM要用於取代NOR Flash，尺寸確實很重要，這表示需要一款選擇器工具。選擇器有助於隔離記憶體單元，因此只有特定記憶體單元應該被修改，而其他單元則被斷開且不受影響。「但選擇器並不是幾天就能開發出來的。」

因此，Hanoch表示，該公司與Leti的長期合作關係，將在開發選擇器方面發揮關鍵作用，因為過去五年來，Leti已經開發出滿足各種目的的選擇器了。這讓Weebit Nano節省了一些時間，同時也降低了Leti的風險。「現在開始看起來更加實際了。最終，選擇器也將用於更大的陣列。」如此一來將可能為ReRAM開啟與NAND Flash競爭之門，不過，這種情況可能還有好幾年的時間。「一旦有了好機會，一定要好好把握住並善加利用，免得錯失良機。」

Hanoch表示，Weebit與Leti之間的聯合開發計劃可以追溯到2016年9月，雙方的合作還加速了Weebit Nano的技術進步，包括其獨特的氧化矽技術。Hanoch說：「選擇器顯然是一項重大開發計劃，因此很自然地就與他們展開了合作。」

即使解決了選擇器的難題，也還存在著其他障礙，因為生產離散式記憶體與嵌入式畢竟完全不同。

IHS Markit總監Michael Yang說：「開發產品並使其達到量產規模需要花費很多年的時間。」判斷一家公司的技術可否打造離散晶片，並不同於將其嵌入於另一家公司更廣泛的解決方案中。

他說，嵌入式記憶體通常涉及IP業務，必須要讓技術落實於解決方案中，而非製造和銷售產品。「這種商業模式與離散式產品完全不同，而且您無需投資於製造產線。」相形之下，離散式記憶體需要有很多的前期資本成本，「從可擴展性、量產、規模、成本等各方面來說，都更困難得多。」

Yang表示，嵌入式業務模式就簡單多了，這也就是為什麼大多數新興記憶體類型都走上這條路的原因，至少在起步階段，一直到技術得到驗證，並可在容量和性能方面進展到下一階段。ReRAM的發展道路有點類似MRAM，在這方面，Everspin等公司已經建立起嵌入式客戶基礎，也獲得了營收足以推動其離散式記憶體的開發。

Hanoch表示，雖然Weebit Nano正加速其離散式ReRAM的開發步伐，當然也不會放棄嵌入式市場。「嵌入式業務仍然是更快速實現營收的途徑。我們必須完成記憶體模組的開發任務，才能開始與客戶洽談商業業務。」

編譯：Susan Hong

(參考原文：Weebit Nano Ramps Up Discrete ReRAM Development，by Gary Hilson)

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