意法半導體(STMicroelectronics，ST)已簽署收購法國氮化鎵(GaN)創新企業Exagan多數股權的併購協議。Exagan的磊晶製程、產品研發和應用經驗將拓展並推動ST的車用、工業和消費性功率GaN研發和業務。Exagan將繼續執行現有產品規劃，意法半導體則將為其部署產品提供支援。

ST總裁暨執行長Jean-Marc Chery表示，ST正擴大對複合材料－GaN的投入，以促進車用、工業和消費性市場客戶採用GaN功率產品。此外，收購Exagan多數股權有助於強化ST在全球功率半導體市場的地位，同時也是其於GaN長遠規劃、生態系統和業務向前邁出的另一步。

GaN屬於寬能隙(WBG)材料家族，其中包括碳化矽。GaN基板材料是高頻功率電子元產業的一大進步，其效能和功率密度優於矽基電晶體，GaN基板元件節能省電、縮減系統大小。GaN元件適合各種應用，例如伺服器、電信和工業用功率因數校正和DC/DC轉換器；電動車車載充電器和車規DC-DC轉換器，以及電源適配器等個人電子應用。

活動簡介

未來寬能隙半導體元件會在哪些應用成為主流？元件供應商又會開發出哪些新的應用寬能隙元件的電路架構，以協助電力系統開發商進一步簡化設計複雜度、提升系統整體效率？TechTaipei「寬能隙元件市場與技術發展研討會」將邀請寬能隙半導體的關鍵供應商一一為與會者解惑。

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