東芝電子元件及儲存裝置株式會社(Toshiba)推出一款驅動中高電流絕緣閘雙極型電晶體(IGBT)和MOSFET的預驅動光耦TLP5231，適用於工業逆變器和光伏(PV)的功率調節系統。產品於今日起開始出貨。

此預驅動光耦內置多種功能，其中包括通過監控集電極電壓實現過流檢測。新型預驅動光耦使用外部P溝道和N溝道互補的MOSFET作為緩衝器，來控制中高電流IGBT和MOSFET。

目前現有產品需要使用雙極型電晶體構成的緩衝電路來實現電流放大，這會在工作中消耗基極電流。新產品能夠使用外部互補MOSFET緩衝器，僅在緩衝器MOSFET的閘極充電或放電時消耗電流，有助於降低功耗。

透過改變外部互補MOSFET緩衝器的大小，TLP5231能夠為各種IGBT和MOSFET提供所需的柵極電流。TLP5231、MOSFET緩衝器以及IGBT／MOSFET的配置可用作平臺來滿足系統的功率需求，從而簡化設計。

其他功能包括：在檢測到VCE(sat)過流後使用另一個外部N溝道MOSFET控制「閘極軟關斷時間」；另外，除了能透過監控集電極電壓檢測到VCE(sat)之外，還有UVLO檢測，將任意故障訊號輸出到一次側。以上這些現有產品不具備的新特性，能夠讓TLP5231幫助用戶更輕鬆地設計柵極驅動電路。

主要特性

• 內建主動時序控制的雙輸出，適用於驅動P溝道和N溝道互補MOSFET緩衝器。
• 當檢測到過流時，透過使用另一個外部N溝道MOSFET實現可配置閘極軟關斷時間。
• 當監控集電極電壓檢測到過流時或UVLO時，故障訊號會輸出到一次側。

新型預驅動光耦可應用於IGBT與功率MOSFET閘極驅動(預驅動)、交流馬達和直流無刷馬達控制、工業逆變器與不斷電供應系統(UPS)，以及光伏(PV)電源調節系統等。

活動簡介

未來寬能隙半導體元件會在哪些應用成為主流？元件供應商又會開發出哪些新的應用寬能隙元件的電路架構，以協助電力系統開發商進一步簡化設計複雜度、提升系統整體效率？TechTaipei「寬能隙元件市場與技術發展研討會」將邀請寬能隙半導體的關鍵供應商一一為與會者解惑。

贊助廠商

立即報名