凌力爾特高功率Diode-OR控制器可耐±300V瞬變

2016-03-24
作者 Press Release

凌力爾特(Linear Technology Corporation)日前發表強固的理想diode-OR控制器LTC4371,主要應用於雙饋高功率電信和數據通信板。LTC4371提供於冗餘電源之間的無縫切換,並以N通道MOSFET取代功率蕭特基二極體和相關的散熱片,因而大幅縮減了功耗、壓降和解決方案尺寸。

凌力爾特(Linear Technology Corporation)日前發表強固的理想diode-OR控制器LTC4371,主要應用於雙饋高功率電信和數據通信板。LTC4371提供於冗餘電源之間的無縫切換,並以N通道MOSFET取代功率蕭特基二極體和相關的散熱片,因而大幅縮減了功耗、壓降和解決方案尺寸。

控制器設計為當遭遇雷電感應湧浪、負載開關或電源短路時可耐受±300V或更高的瞬變,而成為目前最強固的diode-OR解決方案。內建的分流穩壓電源具備350?A低靜態電流和高阻抗汲極(drain)引腳,因此可使較大值的外部電阻在如此高的電壓瞬變時能安全地限制元件電流。外部瞬變電壓抑制器則被消除以節省成本和電路板面積。

LTC4371可跨理想二極體MOSFET提供低15mV的順向壓降,以在高電流應用中將功耗降至最低。線性伺服技術會阻斷DC逆向電流,同時確保在電源切換時平滑的電流傳輸。當輸入電源短路時,瞬變逆向電流可透過強大的2A閘極關斷電流而最小化。強大的5mA閘極上拉電流可確保MOSFET的快速導通,以因應AC整流應用。

當多個MOSFET在高電流50A和100A應用並聯時,大閘極電流可提供充足驅動。基於其內部並聯穩壓器,操作電壓範圍可延伸至數百伏,而4.5V的最小電源可因應低壓-5V和-12V ORing應用。MOSFET或一系列熔絲的開路故障則被偵測出,並透過故障狀態輸出提出警訊。
   
LTC4371特適於0℃至70℃商業及40℃至85℃工業溫度範圍,採用10接腳MSOP及3mmx3mm DFN塑料封裝。

活動簡介
未來寬能隙半導體元件會在哪些應用成為主流?元件供應商又會開發出哪些新的應用寬能隙元件的電路架構,以協助電力系統開發商進一步簡化設計複雜度、提升系統整體效率?TechTaipei「寬能隙元件市場與技術發展研討會」將邀請寬能隙半導體的關鍵供應商一一為與會者解惑。
贊助廠商
訂閱EETT電子報