有鑑於各種充電標準和智慧型手機種類繁多，OEM如果能設計基於可程式設計解決方案的充電器將十分有利。
氮化鎵(GaN)的理論優勢正在主流設計中得以實現，尤其是在資料中心和通訊機房電源兩個應用領域。
極低靜態電流電池管理概念可有效延長電池和系統壽命。不過，要做到低靜態電流，並不能單靠一顆或兩顆元件，需要從整體系統設計考量。
ADI Power by Linear早在2005年時便推出首款μModule穩壓器LTM4600。經過13年的快速發展，LTM4700可在12V輸入至1V輸出的條件下提供100A輸出電流，效率為89.6%，但這還不是全部...
開關調節器中的快速開關瞬變是有利的，因為這顯著降低了開關模式電源中的開關損耗。尤其是在高開關頻率時，可以大幅提高開關調節器的效率，但是，快速開關轉換也會帶來一些負面影響。
氮化鎵是一種直接帶隙半導體材料，硬度很高。氮化鎵的帶隙為3.4eV，而現今最常用的半導體材料矽的帶隙為1.12eV，因此氮化鎵在高功率和高速元件中具有比矽元件更好的性能。
要說今年最火的電源議題，氮化鎵(GaN)當之無愧，在輸入電壓為100V或更低的應用中，已經沒什麼理由能讓你拒絕GaN電晶體。相比傳統矽電晶體，GaN可以使電源效率更高、溫度更低、尺寸更小，實現大功率電源無散熱片設計……
SiC領域的專業人士對SiC元件往往是 「又愛又恨」。一方面，SiC元件具有高壓、高頻和高效率的優勢，但另一方面，SiC在製造和應用方面又面臨很高的技術要求...
雖然氮化鎵的研究和應用已經有20多年的歷史，但直到最近幾年才開始看到氮化鎵商業化的發展前景。5G通訊RF前端、汽車電動化和可攜式電子產品的充電需求，以及高瓦數、高功率的電源供應器都將驅動氮化鎵功率元件逐漸替代傳統的矽功率元件。
新一代SiC FET因其提供低於IGBT的損耗，以及在高溫和多重應力下被證實的短路強健性，而成為新型逆變器設計的絕佳選擇。
寬能隙半導體如SiC和GaN，可實現更佳的導熱性、更高的開關速率，且更小尺寸的物理元件。也因此，寬能隙半導體推動了新一代電源的出現。
許多人認為電池技術在關鍵指標上具備固有的成長率(重量能量密度每年成長5~8%)，與半導體的摩爾定律(Moore’s Law)類似；但我們可預期這種情況能持續嗎？
