雖然目前傳統記憶體在3D製程加持下尺寸更小、密度更大，性能得到很大提升，但新興記憶體技術無論是作為獨立晶片還是被嵌入於ASIC、MCU和運算處理器中，都有可能變得比現有的記憶體技術更具競爭力...各路廠商如何抉擇？
HMC與HBM之間的競爭，就像是Beta和VHS時代的規格對峙戰。不過，其間的一個明顯區別在於：HMC還活得好好的！
展望2020年的記憶體市場，DRAM和快閃記憶體的價格是否會再次飆升？新興記憶體終於要崛起了嗎？中國的雄心會開始得到報酬嗎？還有哪些記憶體技術可用？
ReRAM新創公司Weebit Nano正從嵌入式業務轉向離散式記憶體領域。針對離散式ReRAM，最迫切的需求和最實際的機會就是NOR Flash的替代方案...
據DRAMeXchange調查顯示，由於2019年第四季資料中心需求成長，NAND Flash供應庫存下降；2020年第一季在量縮價增的情形下，營收表現持平上季...
根據DRAMeXchange調查顯示，由於2019年第四季DRAM供應商的銷售位元出貨量上升，抵銷整體平均報價的下跌，使得DRAM營收僅小幅下滑1.5%，與上季約略持平...
研究顯示，可穿戴裝置中對電池電量消耗量最大的就是顯示器，解決方法之一是直接提高電池容量，但大容量電池會增加尺寸和重量，對可穿戴裝置不合適...
LPDDR5的出現是一個正常的技術迭代，就像從LPDDR3到LPDDR4，再進展到LPDDR4 X一樣。但在此技術迭代的背後，是三星、美光和海力士這三大巨頭在全球DRAM市場上的角力…
鈺創科技(Etron Technology)為傳統DRAM另闢新架構，透過低接腳數的RPC DRAM尋找邊緣IoT應用機會；Lattice也看好其發展潛力…
嵌入式DRAM(eDRAM)經由單端式感應裝置獲得單端式儲存單元的儲存狀態。eDRAM相對於應用差動感應放大器的[DDR-n] SDRAM晶片，其優勢在於不必過度驅動(overdrive)儲存單元的存取電晶體，也沒有繁雜的讀取步驟...
JEDEC才剛更新JESD235C規格，三星(Samsung)馬上就發表名為Flashbolt的第三代HBM2E記憶體，並計劃在今年上半年量產…
